Samsung luncurkan kartu memori super cepat untuk smartphone generasi 4G

SEOUL, Korea Selatan, 30 Juni 2011 - Samsung Electronics Co, Ltd, pemimpin dunia dalam teknologi memori canggih, hari ini mengumumkan produksi dari kartu memori micro Secure Digital (microSD) berperforma tinggi dengan kecepatan transfer data yang mendukung persyaratan kinerja canggih pada smartphone generasi keempat (4G). Kartu memori microSD baru dengan kelas 20-nanometer ini memiliki rating speed class 10 yang cocok untuk penyimpanan data dan transmisi video full HD dengan mulus, yang merupakan salah satu fitur yang menjadi sangat populer di kalangan pengguna smartphone 4G.

"Permintaan industri untuk pengalamatan kartu memori 'high-class-rated' didorong oleh pertumbuhan permintaan yang berkembang untuk aplikasi mobile generasi berikutnya di smartphone yang lebih canggih termasuk model 4G," kata Wanhoon Hong, executive vice president, memory sales & marketing, Samsung Electronics. "Sebagai industri yang mengadopsi kartu microSD dengan rating class 10, kecepatan transfer data yang unggul ini diharapkan untuk meningkatkan pengalaman pengguna mobile secara signifikan."

Kartu microSD 32GB yang baru ini dapat menulis dengan kecepatan 12 megabyte per detik (MB/s) dan membaca dengan kecepatan 24MB/s, sehingga akan menyediakan pengguna dengan kecepatan menulis lebih dari dua kali lipat dibandingkan dengan kecepatan maksimum menulis dari kartu microSD 32GB class 4. Kartu memori 32GB yang baru ini menggabungkan chip memori NAND flash 3-bit 32GB dan controller NAND 3-bit asli untuk memberikan kinerja tinggi.

Kartu memori baru ini sebagai kelanjutan dari pengenalan kartu microSD 32 gigabyte (GB), 32 gigabit (Gb) 3-bit-per-cell (3-bit) berbasis NAND dengan teknologi Samsung kelas 30 nanometer pada bulan Februari 2010. Dengan menerapkan pemrosesan teknologi kelas 20-nm yang lebih baik, produktivitas chip akan naik lebih dari 30 persen.

Sebagai pelopor industri memori, Samsung berencana untuk terus agresif memperkenalkan solusi memori mobile baru berbasis NAND untuk adopsi pasar yang tepat waktu. Produksi massal 3-bit NAND 64Gb kelas 20nm telah dirancang melalui arsitektur toggle NAND yang canggih untuk antisipasi pada awal tahun depan.