SEOUL, Korea, 31 Mei 2011 - Samsung Electronics Co, Ltd, pemimpin dunia dalam teknologi memori canggih, hari ini mengumumkan bahwa mereka adalah yang pertama di industri ini untuk memulai memproduksi massal modul memori 32 gigabyte (GB), yang sangat cocok digunakan untuk komputasi awan (cloud computing) dan sistem server yang canggih, dengan menggunakan chip kelas 30 nanometer (nm) DRAM DDR3 empat gigabit (Gb).
"Dengan modul ini, Samsung telah memberi jaminan produk dan solusi berdaya saing tingkat tertinggi dalam pasar DRAM untuk PC, server dan aplikasi mobile," kata Wanhoon Hong, wakil presiden eksekutif untuk penjualan & pemasaran memori di Samsung Electronics. "Kami juga berencana untuk mengapalkan DRAM DDR3 4Gb yang lebih hemat energi berbasis teknologi prosesing kelas 20nm pada paruh kedua tahun ini, yang secara signifikan akan memperluas pasar yang tumbuh dengan cepat untuk solusi memori Green IT. Selain itu, kami berniat untuk tetap menawarkan produk memori ramah lingkungan dengan kinerja yang optimal bagi pelanggan," tambahnya.
Chip DDR3 4Gb kelas 30nm dari Samsung menawarkan peningkatan 50 persen dalam produktivitas dibanding dengan DDR3 4Gb kelas 40nm, dan sebagai hasilnya diharapkan untuk mencapai penetrasi pasar yang cepat.
Samsung mulai memproduksi perangkat monolitik DRAM DDR3 4Gb berbasis teknologi kelas 30nm pada bulan Februari, yang hanya satu tahun setelah mulai memproduksi perangkat DRAM DDR3 4Gb kelas 40nm. Hanya dua bulan kemudian, Samsung mulai mengirimkan modul 16GB ke sejumlah produsen sistem server.
Dengan registered dual inline memory module (RDIMM) 32GB terbaru dan (RDIMM) dan small outline dual in-line memory module (SO-DIMM) 8GB yang ditambahkan bulan ini, Samsung telah memiliki lini produk yang lengkap untuk DDR3 4Gb kelas 30nm berbasis "green solutions".
Selain itu, dengan menawarkan modul baru DDR3 segera setelah menghadirkan DRAM LPDDR2 4Gb kelas 30nm, Samsung kini telah mendukung kebutuhan seluruh pasar untuk solusi DRAM kelas 30nm dari perangkat mobile hingga sistem server perusahaan.
Samsung RDIMM 32GB 1,35 volt yang baru memiliki kinerja sampai dengan 1.866 megabit per detik (Mbps), mencapai peningkatan 40 persen lebih dibandingkan dengan 1.333 Mbps pada RDIMM 32GB kelas 40-nm yang beroperasi dengan tegangan sebesar 1,5 volt, yang juga berarti konsumsi daya yang dibutuhkan 18 persen lebih sedikit. RDIMM 32GB kelas 40nm sebelumnya telah menerima Penghargaan Eco-Design di International Consumer Electronics Show (CES) 2011 Innovation Awards. Juga, versi SO-DIMM 8GB terbaru mampu melakukan prosesing data hingga 2133 Mbps ketika beroperasi pada daya 1,5 volt.
Samsung berharap dapat memiliki lebih dari 10 persen dari total produksi chip DRAM pada tahun 2012 di kepadatan 4Gb (atau lebih tinggi).
Menurut perhitungan IHS, pengiriman DRAM 4Gb diharapkan akan memperoleh sekitar 10 persen dari total pengiriman DRAM pada tahun 2012, 35 persen pada 2013 dan hingga 57 persen pada 2014.
Sementara itu, Samsung berencana untuk terus meningkatkan kesadaran inisiatif "green memory" dan Samsung melakukan pendekatan ‘Creating Shared Value’ (CSV) terhadap industri IT global, seperti mencari kolaborasi untuk efisiensi energi yang lebih besar dengan CIO perusahaan global.
Tidak ada komentar:
Posting Komentar